Kaedah yang paling mudah untuk menghasilkan karbida silikon melibatkan pasir kuarza dan karbon, seperti arang batu, pada suhu tinggi - sehingga 2500 darjah Celsius. Lebih gelap, versi karbida silikon yang lebih biasa sering mengandungi kekotoran besi dan karbon, tetapi kristal sic tulen tidak berwarna dan terbentuk apabila sublimes karbida silikon pada 2,700 darjah Celcius. Sebaik sahaja dipanaskan, kristal ini disimpan ke grafit pada suhu yang lebih rendah dalam proses yang dikenali sebagai kaedah LELY.
Kaedah Lely: Dalam proses ini, granit crucible dipanaskan ke suhu yang sangat tinggi, biasanya dengan induksi, untuk menyemarakkan serbuk karbida silikon. Rod grafit suhu yang lebih rendah berada dalam campuran gas, yang membolehkan karbida silikon tulen untuk mendakan dan membentuk kristal.
Pemendapan wap kimia: Sebagai alternatif, pengeluar tumbuh sic padu menggunakan pemendapan wap kimia, yang biasanya digunakan dalam proses sintesis berasaskan karbon dan digunakan dalam industri semikonduktor. Dalam kaedah ini, campuran kimia khas gas diperkenalkan ke dalam persekitaran vakum dan digabungkan sebelum disimpan ke substrat.
Kedua -dua kaedah menghasilkan wafer karbida silikon memerlukan sejumlah besar tenaga, peralatan dan pengetahuan untuk mencapai kejayaan.